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DDR6-Speicher kann 17.000 MHz erreichen

DDR5-Speicher kam mit der Einführung von Intel 'Alder Lake-S' Serie in diesem Monat. Die DDR5-RAMs der nächsten Generation sind relativ teuer, und Verbraucher sollen bis mindestens 2023 warten, um vernünftige Preise zu sehen. Die eigenen Recherchen von MSI weisen darauf hin, dass der Übergangsprozess definitiv lange dauern wird, möglicherweise bis zu 2 Jahre. Samsung hat bereits begonnen, über DDR6-Speicher zu sprechen.

ComputerBase teilte einige Informationen vom Samsung Tech Day 2021 mit, bei dem das südkoreanische Unternehmen seine zukünftigen Roadmaps und Innovationen in Bezug auf die Speichertechnologie bekannt gab. Es gibt keine zufälligen Dias oder Fotos von der Veranstaltung, da Samsungs Entscheidungen und Bedingungen keine zufälligen Aufnahmen zulassen.

Der DDR6-Standard wurde von JEDEC noch nicht formalisiert, aber die Spezifikationen werden voraussichtlich auf etwa 12.800 MHz liegen. Samsung sagte, die Technologie befinde sich in einem frühen Entwicklungsstadium, daher könnten die vom Unternehmen geteilten Zahlen variieren. Den erhaltenen Informationen zufolge soll der DDR6-Speicher jedoch mit Übertaktung bis zu 17.000 MHz erreichen.

Es wird gesagt, dass DDR6 vier Kanäle pro Modul haben wird (das Doppelte im Vergleich zu DDR5) und die Anzahl der als Bänke bezeichneten Einheiten im Speicher wird auf 64 ansteigen, eine Vervierfachung im Vergleich zu DDR4.

Standard Max Daten Gesicht
JEDEC-Standard Übertakten
DDR4 3. 200 MT/s 5. 600 MT/s
DDR5 6. 400 MT/s 8. 400 MT/s
DDR6 12. 800 MT/s 17. 000 MT/s

GDDR6+, GDDR7 und HBM3

Einige Informationen zum Post-GDDR6-Standard wurden auch von Samsung geteilt. Es sieht so aus, als ob das Unternehmen jetzt einen GDDR6+-Standard entwickelt, der Geschwindigkeiten von bis zu 24 Gbit/s bietet. Dies ist etwas höher als die Geschwindigkeiten von 18 Gbit/s, die demnächst mit dem aktuellen GDDR6-Standard angeboten werden, der mit dem 1z-nm-Verfahren von Samsung produziert wird.

Zudem ist auch der GDDR7-Standard in der Roadmap des Technologiegiganten enthalten, und es wurde kein zufälliges Datum angegeben. Diese Technologie wird die Speicherbandbreite auf bis zu 32 Gbit/s erhöhen und auch einen Echtzeit-Fehlerschutz beinhalten.

ComputerBase berichtete außerdem, dass Samsung im zweiten Quartal 2022 mit der Massenproduktion des HBM3 (High-Bandwidth-Memory Gen3) beginnen wird.

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